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日媒報導中國晶片技術落後台積電3年?國科會直言:落差應為10年以上

2024.09.30
17:19pm
/ 放言編輯部 王晨芝

台積電7月在法人說明會揭露的資訊,2奈米先進製程研發進展順利,裝置效能和良率皆按照計畫或優於預期,將如期於2025年量產⋯⋯

 

有媒體在8月報導指出,中國半導體僅落後3年,引起熱議。國科會主委吳誠文今天(30)日表態懷疑,認為兩者的技術差距應該超過10年,特別是台積電即將邁入2奈米製程。



日媒《日經》在8月以「拆解華為手機:中國半導體僅落後3年?」為題指出,美國政府對中國華為啟動事實上的出口禁令已有5年。美國政府一直在採取遏制中國晶片技術的措施。不過,實際效果很少被討論。每年拆解100種産品電子産品的日本半導體調查企業TechanaLye(東京中央區)的社長清水洋治表示,中國晶片的實力已經達到比台積電(TSMC)落後3年的水準。

 

針對此事,立法院教育及文化委員會今邀請吳誠文就「永續科研與政策溝通」進行專題報告,並備質詢。

 

民進黨立委吳沛憶提到,根據日本媒體的報導,有半導體研究機構拆解華為手機後認為,中國的晶片技術已大幅提升,僅落後台積電3年。吳沛憶驚呼:「哇!這個是很震驚的消息!」中國近年的半導體技術有可能會追趕上台灣?

 

吳誠文回應,「我其實存疑」,直言落差應為10年以上,尤其台積電先進製程將進到2奈米。

 

台積電7月在法人說明會揭露的資訊,2奈米先進製程研發進展順利,裝置效能和良率皆按照計畫或優於預期,將如期於2025年量產。

 

中國方面,市調機構集邦科技指出,中國在28奈米及更成熟製程擴產動作最積極,預估2027年中國成熟製程產能占全球比重可望達39%,應用面涵蓋車用、消費型、伺服器及工控等領域。

 

中國工信部近期公布重大技術裝備推廣應用指導目錄,其中兩台曝光機被外界解讀為中國已取得重大技術突破,可生產8奈米及以下晶片的說法甚囂塵上;另據德國之聲報導,上海微電子向中國國家智慧財產權局申請了一系列EUV技術專利,可能意味著掌握了製造7奈米及以下晶片的關鍵能力。

 

 

圖片來源:國會頻道、民視新聞

 

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